Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon will 1,1 Milliarden Euro in eine neue Fertigung für Leistungshalbleiter am österreichischen Standort Villach investieren. Die Anlage soll Bauelemente aus Galliumnitrid (GaN) auf 300-Millimeter-Wafern in hoher Stückzahl produzieren.
Nach den veröffentlichten Angaben ist der Produktionsstart für Ende 2027 vorgesehen. Die Investitionen sollen sich bis 2034 erstrecken; für die Fertigung will Infineon bereits vorhandene Reinraumkapazitäten nutzen. Das Unternehmen bezeichnet das Vorhaben als wichtigen Schritt, um die Produktion energieeffizienter Leistungselektronik auszubauen.
Galliumnitrid-Halbleiter werden unter anderem in KI-Rechenzentren, Energieanlagen, Elektrofahrzeugen, Robotik und Unterhaltungselektronik eingesetzt. Gegenüber herkömmlichen Siliziumbauteilen können sie schneller schalten und dadurch Energieverluste verringern. Größere Wafer ermöglichen zudem eine höhere Zahl von Chips pro Produktionsdurchlauf.
Die Investition fällt in eine Phase steigenden Strombedarfs durch Rechenzentren und andere digitale Infrastruktur. Zugleich unterstreicht sie die Bedeutung europäischer Fertigungskapazitäten für Schlüsselkomponenten der Energiewende und der industriellen Digitalisierung.
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